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nmos电流方向,导通条件详解-KIA MOS管
NMOS的电流方向在标准导通状态下为漏极（D）到源极（S），但在特定电路设计（如防反接电路）中可能反向流动（S到D）。MOS管的导通条件取决于NMOS或PMOS类型和阈值电压（Vgs（th）），NMOS需满足Vgs>Vgs(th),PMOS需满足Vsg>|Vgs(th)|（即Vg<Vs-|Vgs(th...www.kiaic.com/article/detail/5882.html 2025-08-25
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60r180场效应管,20a600v,to220mos,KLP60R180BD-KIA MOS管
60r180场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A ，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 160mΩ，低栅极电荷Qg=33.5nC，减少开关损耗，提高效率；具备高耐用性、超快开关速度、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定；在电池管理系统、负载开关、无...www.kiaic.com/article/detail/5881.html 2025-08-22
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电瓶车控制器电路图,原理详解-KIA MOS管
电动车控制器的原理是在电池电压保持相对稳定的前提下，通过断续供电的方式，调整电机供电电压的平均值，从而实现对电机速度和电流的精准控制。这种控制方式使得电机能够按照预期的要求进行运转。目前，主流的控制方法为PWM脉宽调制控制机理，即通过在特定时间...www.kiaic.com/article/detail/5880.html 2025-08-22
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元器件功耗计算公式,功率器件功耗计算-KIA MOS管
开通时损耗：PON=IceoVcetofff开通过程损耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss关断时损耗：Poff=IcVcestonf关断过程损耗：Pf=IcVDStff/6＝Ic2tftf'f/6CossMOSFET的总损耗为：Ptotal=Pd+Pon+Poff+Pr+Pfwww.kiaic.com/article/detail/5879.html 2025-08-22
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60r280场效应管,600vmos管,to220f mos,KLF60R280B-KIA MOS管
KLF60R280B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流15A，采用新型沟槽工艺制造，性能优越；低导通电阻RDS(开启) 240mΩ，减少导电损失，低栅极电荷（典型值Qg=19.6nC），减少开关损耗；具有高耐用性、快速开关、100%经雪崩测试、改进的dv/dt性能，高效稳定可靠；封...www.kiaic.com/article/detail/5878.html 2025-08-21
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pwm调光原理,pwm调光原理图-KIA MOS管
PWM波形为一个矩形波，包含高电平（ON）和低电平（OFF）两个状态。通过改变高电平时间占总周期的比例（即占空比），可以实现不同亮度的输出。占空比越大，LED在高电平状态下持续的时间越长，平均亮度也就越高；反之，占空比越小，LED在低电平状态下持续的时间越...www.kiaic.com/article/detail/5872.html 2025-08-21
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半导体分立器件有哪些,分类介绍-KIA MOS管
分立器件按功能划分为二极管、三极管、场效应管和晶闸管等类型。最新研究显示，其分类已拓展至材料维度，包含硅基、锗基及化合物半导体器件。在结构维度上，涵盖PN结二极管、双极型晶体管和MOSFET等多种形式，其中硅基MOSFET因兼具大功率与高频特性成为主流应用...www.kiaic.com/article/detail/5871.html 2025-08-21
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60r280场效应管,600vmos管,15a600v,KLD60R280B参数-KIA MOS管
KLD60R280B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流15A，采用新型沟槽工艺制造，性能优越；低导通电阻RDS(开启) 240mΩ，减少导电损失，低栅极电荷（典型值Qg=19.6nC），减少开关损耗；具有高耐用性、快速开关、100%经雪崩测试、改进的dv/dt性能，高效稳定可靠；封...www.kiaic.com/article/detail/5870.html 2025-08-20
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四种变换电路详解,变换电路原理图-KIA MOS管
电力变换通常分为四大类，交流变直流（AC→DC)的整流电路；直流变交流（DC→AC）的逆变电路；直流变直流（DC→DC）的直流斩波电路；交流变交流（AC→AC）的交流交流电路。www.kiaic.com/article/detail/5869.html 2025-08-20
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车载电源原理详解,车载电源原理图-KIA MOS管
车载电源属于新能源汽车“电控总成” 中的关键电气零部件，主要包括逆变器、车载充电机（OBC）和DC-DC转换器等核心模块。www.kiaic.com/article/detail/5868.html 2025-08-20
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2920场效应管,高频开关mos,200v130a,KCP2920K参数-KIA MOS管
KCP2920K场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流130A，采用专利新型沟槽工艺制造，SGT MOSFET技术，提升功率密度，性能优越；?极低导通电阻RDS(开启) 9.8mΩ，减少导电损失，?低栅极电荷减少开关损耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开...www.kiaic.com/article/detail/5867.html 2025-08-19
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新能源电机控制器结构,工作原理详解-KIA MOS管
新能源汽车电机控制器是电动汽车的核心部件，负责控制电机的转速和扭矩输出。其结构主要包括电源模块（直流转交流）、控制器（控制工作状态）、功率部分（MOS管和液压模块，稳定性高）、驱动模块（驱动电机运转）和通讯部分（与汽车系统交互）。www.kiaic.com/article/detail/5866.html 2025-08-19
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无抽头zvs电路图,zvs电路原理详解-KIA MOS管
推挽电路采用两个MOSFET交替工作，每个MOSFET关断时，负载电流会流入对方MOSFET的体二极管，并逐渐衰减，使得MOSFET在导通前漏极电压自然降到零。这与半桥LLC谐振变换器的工作方式类似，通过谐振元件的储能与释放，实现ZVS。www.kiaic.com/article/detail/5865.html 2025-08-19
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6610mos管,pwm调光,15a100v场效应管,KNY6610A参数-KIA MOS管
KNY6610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，性能优越；具有低交叉失真、快速切换、100%雪崩测试、改进的...www.kiaic.com/article/detail/5864.html 2025-08-18